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Personne :
Couture-Bienvenue, Etienne

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Nom de famille

Couture-Bienvenue

Prénom

Etienne

Affiliation

Département de chimie, Faculté des sciences et de génie, Université Laval

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ncf11909888

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Voici les éléments 1 - 1 sur 1
  • PublicationAccès libre
    Étude de la dynamique multiélectronique de BeH₂ en présence d'un champ laser intense
    (2016) Couture-Bienvenue, Etienne; Nguyen-Dang, Thanh-Tung
    Face au besoin de simulation de la dynamique multiélectronique en champ intense, en particulier de la dynamique d'ionisation en champ fort, un algorithme de calcul quanto-chimique au niveau multiconfigurationel, avec des partitions de Feshbach de l'espace d'états à N électrons, a été développé dans notre laboratoire. Cet algorithme résoud l'équation de Schrödinger dépendante du temps pour le système à N électrons forcé par un champ intense de façon non perturbative. Les partitions de Feshbach permettent de séparer la simulation de la dynamique fortement corrélée des électrons liés de celle des électrons libres engendrés par ionisation en champ fort. Les éléments de cette approche multiconfigurationelle avec lses partitions de Feshbach, en particulier les emprunts des méthodes de calculs de la structure électronique post-SCF, sont présentés et illustrés avec des calculs effectués pour un modèle de la molécule BeH₂ soumise à un champ laser intense.