Personne :
Couture-Bienvenue, Etienne

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Date de naissance
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Fonction
Nom de famille
Couture-Bienvenue
Prénom
Etienne
Affiliation
Département de chimie, Faculté des sciences et de génie, Université Laval
ISNI
ORCID
Identifiant Canadiana
ncf11909888
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Résultats de recherche

Voici les éléments 1 - 1 sur 1
  • Publication
    Accès libre
    Étude de la dynamique multiélectronique de BeH₂ en présence d'un champ laser intense
    (2016) Couture-Bienvenue, Etienne; Nguyen-Dang, Thanh-Tung
    Face au besoin de simulation de la dynamique multiélectronique en champ intense, en particulier de la dynamique d'ionisation en champ fort, un algorithme de calcul quanto-chimique au niveau multiconfigurationel, avec des partitions de Feshbach de l'espace d'états à N électrons, a été développé dans notre laboratoire. Cet algorithme résoud l'équation de Schrödinger dépendante du temps pour le système à N électrons forcé par un champ intense de façon non perturbative. Les partitions de Feshbach permettent de séparer la simulation de la dynamique fortement corrélée des électrons liés de celle des électrons libres engendrés par ionisation en champ fort. Les éléments de cette approche multiconfigurationelle avec lses partitions de Feshbach, en particulier les emprunts des méthodes de calculs de la structure électronique post-SCF, sont présentés et illustrés avec des calculs effectués pour un modèle de la molécule BeH₂ soumise à un champ laser intense.